氮化铝因拔尖的热导性及与硅相匹配的热胀大系数，成为电子范畴备受重视的 资料。氮化铝是一种六方晶系钎锌矿型结构形状的共价键化合物，其具有一系列优 良特性，包含优异的热导性、牢靠的电绝缘性、低的介电常数和介电损耗、无毒以及 与硅相匹配的热胀大系数等。它既是新一代散热基板和电子器材封装的抱负资料，也 可用于热交换器、压电陶瓷及薄膜、导热填料等，运用远景宽广。 AlN 的晶体结构决议了其超卓的热导性和绝缘性。依据《氮化铝陶瓷的流延成型 及烧结体功用研讨》的研讨中说到，因为组成 AlN 分子的两种元素的原子量小，晶体 结构较为简略，简谐性好，构成的 Al-N 键键长短，键能大，并且共价键的共振有利 于声子传热机制，使得 AlN 资料具有优异于一般非金属资料的热传导性，此外 AlN 具 备高熔点、高硬度以及较高的热导率，和较好的介电功用。

  AlN 相较其他陶瓷资料，与硅相匹配的热胀大系数，加上优异的热导性，更有利 于运用于电子工业。依据《AlN 陶瓷热导率及抗弯强度影响要素研讨的新展开》的研 究中说到，AlN 因其热胀大系数与 Si 匹配度高而被广泛重视，而传统的基板资料如 Al2O3 因为其热导率低，其值约为 AlN 陶瓷的 1/5 且线胀大系数与 Si 不匹配，现已不 能够满意实践需求。BeO 与 SiC 陶瓷基板的热导率也相对较高，但 BeO 毒性高，SiC 绝缘性欠好。而 AlN 作为一种新式高导热陶瓷资料，具有热胀大系数与 Si 挨近、散 热功用优异、无毒等特性，有望成为代替电子工业用陶瓷基板 Al2O3、SiC 和 BeO 的 极佳资料。

  氮化铝陶瓷因其多方面优异的功用，现在现已在多个民用和军用范畴得到了广 泛的运用。5G 时代、新动力轿车时代以及人工智能时代的降临，使氮化铝陶瓷需求 更多。

  AlN 运用广泛，因超卓的热导性成为新一代散热基板和电子器材封装的抱负资料。 依据艾邦陶瓷展的信息，AlN 还可用于热交换器、坩埚、维护管、浇注模具、压电陶 瓷及薄膜、导热填料等。

  散热基板及电子器材封装是 AlN 陶瓷的首要运用。氮化铝陶瓷具有优异的导热性 能，热胀系数挨近硅，机械强度高，化学安稳性好并且环保无毒，被以为是新一代散 热基板和电子器材封装的抱负资料，十分适宜于混合功率开关的封装以及微波真空管 封装壳体资料，一起也是大规划集成电路基片的抱负资料。

  晶圆加工用静电吸盘便是常见的结构陶瓷运用。氮化铝结构陶瓷的机械功用好， 硬度高，耐性好于 Al2O3 陶瓷，并且耐高温耐腐蚀。运用 AIN 陶瓷耐热耐腐蚀性，可 用于制作坩埚、Al 蒸发皿、半导体静电卡盘等高温耐蚀部件。

  氮化铝可用于制作能够在高温或许存在必定辐射的场景下运用的高频大功率器材， 如高功率电子器材、高密度固态存储器等。作为第三代半导体资料之一的氮化铝，具 有宽带隙、高热导率、高电阻率、杰出的紫外透过率、高击穿场强等优异功用。 AlN 的禁带宽度为 6.2 eV，极化效果较强，在机械、微电子、光学以及声外表波 器材(SAW)制作、高频宽带通讯等范畴都有运用，如氮化铝压电陶瓷及薄膜等。别的， 高纯度的 AlN 陶瓷是通明的，具有优异的光学功用，再结合其电学功用，可制作红外 导流罩、传感器等功用器材。

  AlN 作为耐热资料可用其作坩埚、维护管、浇注模具等。氮化铝可在 2000℃非氧 化气氛下，仍具有安稳的功用，是一种优异的高温耐火资料，抗熔融金属腐蚀的才能 强。

  氮化铝陶瓷热导率高、热胀大系数低，导热功率和抗热冲击功用优异，可用作理 想的耐热冲和热交换资料，例如氮化铝陶瓷能够作为船用燃气轮机的热交换器资料和 内燃机的耐热部件。因为氮化铝资料的优异导热功用，有用进步了热交换器的传热能 力。

  氮化铝具有优异的电绝缘性，高导热，介电功用杰出，与高分子资料相容性好， 是电子产品高分子资料的优异添加剂，可用于 TIM 填料、FCCL 导热介电层填料，广 泛运用于电子器材的热传递介质，然后进步作业功率，如 CPU 与散热器填隙、大功率 三极管和可控硅元件与基材触摸的细缝处的热传递介质。

  全球陶瓷基板商场火爆，商场规划稳步添加。AlN 陶瓷资料可用作覆铜基板材 料、电子封装资料、超高温器材封装资料、高功率器材渠道资料、高频器材资料、传 感器薄膜资料、光学电子器材资料、涂层及功用增强资料等。依据 Maxmize Market Research 陈述显现，2021 年全球陶瓷基板商场规划到达 65.9 亿美元，估量 2029 年 全球规划将到达 109.6 亿美元，年均添加率约为 6.57%。依据陶瓷基板的不同工艺， 可将陶瓷基板商场分为平面陶瓷基板和多层陶瓷基板商场，并进一步细分。 DPC 陶瓷基板商场宽广。DPC 陶瓷基板凭仗其电路精度高且制备温度低的特色， 被广泛用于高精度、小体积封装产品中，在高功率发光二极管中被广泛运用。依据 GII 研讨数据显现，2020 年 DPC 陶瓷基板全球商场规划到达 12 亿美元，估量 2026 年 到达 17 亿美元，CAGR 为 5.2%。现在首要出产厂家有日本丸和、同欣电子、九豪精细 等。

  功率模块带动 DBC、AMB 陶瓷基板商场扩展。DBC 陶瓷基板具有高强度、导热性 能强以及结合安稳的优质功用，而 AMB 陶瓷基板是在 DBC 的根底上展开而来的，结合 强度相对更高。近年来跟着新动力轿车、光伏储能职业的快速展开，IGBT 功率模块 的需求快速添加，关于 DBC、AMB 陶瓷基板的需求也不断添加。依据半邦导体网， 2020 年 DBC 陶瓷基板商场规划为 2.89 亿美元，估量 2027 年可到达 4.03 亿美元， CAGR 为 8.6%。而依据 GII 猜测，2020 年 AMB 陶瓷基板商场规划为 0.65 亿美元，预 计 2027 年可到达 3.06 亿美元，CAGR 别离为 22.7%。现在 DBC 陶瓷基板首要出产厂家 有罗杰斯、贺利氏集团、高丽化工等；AMB 陶瓷基板首要出产厂家有罗杰斯、日本京 瓷、日本丸和等。 射频组件封装促进多层陶瓷基板先进封装需求添加。多层陶瓷基板首要包含高 温共烧陶瓷基板（HTCC）以及低温共烧陶瓷基板（LTCC）。HTCC 和 LTCC 技能具有良 好的微波、导热、密封以及机械等功用，被广泛运用在射频电子元器材的封装中，在 航空航天、卫星通讯以及民用通讯等范畴运用广泛，因而占有了不小的商场比例。依据 GII 猜测，2021 年 HTCC 和 LTCC 陶瓷基板全球商场规划到达 29 亿美元，未来几年 将以 4%的复合添加率继续安稳添加。现在出产 HTCC 和 LTCC 陶瓷基板的首要出产厂 家有日本京瓷、杜邦公司、村田制作株式会社等。

  2.1.AMB、DBC 借 IGBT 之风，随同新动力与电动车范畴展开 迅猛

  国内较为常见的陶 瓷 基 板 材 料 有 Al2O3、AlN 和 Si3N4 陶瓷基板，AIN 和 Si3N4 逐渐开端选用 AMB 工艺。依据范彬彬在《陶瓷与金属衔接的研讨及运用展开》 对陶瓷的研讨发现，基板覆铜的详细工艺因陶瓷资料的品种不同而有所差异，关于 Al2O3 陶瓷基板首要选用直接覆铜工艺(DBC)，AlN 陶瓷基板可选用 DBC 或 AMB 工 艺， Si3N4陶瓷基板在出产中较为广泛运用的是 AMB 工艺。 自上世纪 50 时代以来，电力电子器材从晶闸管过渡到 GTR/GTO/MOSFET，逐 渐展开到绝缘栅双极晶体管 (Insulate-Gate Bipolar Transistor, IGBT)。与前两代比较， 第三代电力电子器材 (如 IGBT) 具有频率高、功率大和开关速度快等优势，在国防军 事、航天航空、电动牵引、轨道交通、 新动力轿车以及家用电子器材范畴得到广泛 运用。

  因为 IGBT 输出功率高，发热量大，散热不良将损坏 IGBT 芯片，因而对 IGBT 封装而言，散热是要害，有必要选用陶瓷基板强化散热。氮化铝、氮化硅陶瓷基板具 有热导率高、与硅匹配的热胀大系数、高电绝缘等长处，十分适用于 IGBT 以及功率 模块的封装。广泛运用于轨道交通、航天航空、电动轿车、智能电网、太阳能发电、 变频家电、UPS 等范畴。依据《陶瓷与金属衔接的研讨及运用展开》的信息，国内 高铁上 IGBT 模块，首要运用的是由丸和供给的氮化铝陶瓷基板。 依据《电子封装陶瓷基板》的研讨显现，现在 IGBT 封装首要选用 DBC 陶瓷基 板。首要因为 DBC 基板金属线 μm)，具有载流才能 大、耐高温性好及牢靠性高级特色。

  DBC 陶瓷基板制备首要在(Cu)和陶瓷基片(Al2O3 或 AIN)引进氧元素，然后在 1065°C 构成 Cu/O 共晶相(金属铜熔点为 1083°C)，然后与陶瓷基片和铜箔发生反 应生成 CuAl02 或 Cu(Al0)，完结铜箔与陶瓷间共晶键合。因为陶瓷和铜具有杰出的导 热性，且铜箔与陶瓷间共晶键合强度高，因而 DBC 基板具有较高的热安稳性，已广泛 运用于绝缘栅双极二极管(IGBT)、激光器(LD) 和聚集光伏 (CPV) 等器材封装散热中。

  因为 DBC 陶瓷基板制备工艺温度高，金属-陶瓷界面应力大，因而 AMB 技能越 来越遭到业界重视，特别是选用低温活性焊料。并且 AMB 办法比较简略，封接件性 能也比较牢靠，因而后来展开较快，成为电子器材中常用的陶瓷－金属接合办法之一，并且，现在特别适宜于非氧化物陶瓷的接合，能够想象，日后 AMB 技能将在电子、 电力、航空、航天等工业上发挥很大的效果。 依据《电子封装陶瓷基板》的研讨中显现，DBC 和 AMB 制备中除了工艺不同， 是否有氧元素参加是首要差异之一，因而 Al2O3不适用 AMB 法。 AMB 陶瓷基板运用含少数活性元素的活性金属焊料完结铜箔与陶瓷基片间的焊 接。活性焊料经过在一般金属焊猜中添加 Ti、Zr、Hf、V、Nb 或 Ta 等稀土元素制备， 因为稀土元素具有高活性，可进步焊料熔化后对陶瓷的潮湿性，使陶瓷外表可与金属 完结焊接。AMB 基板制备技能是 DBC 基板工艺的改善 (DBC 基板制备中铜箔与陶 瓷在高温下直接键合，而 AMB 基板选用活性焊料完结铜箔与陶瓷基片间键合)，通 过选用活性焊料可下降键合温度 (低于 800°C)，然后下降陶瓷基板内部热应力。此 外，AMB 基板依托活性焊料与陶瓷发生化学反响完结键合，因而结合强度高，牢靠 性好。可是该办法本钱较高，适宜的活性焊料较少，且焊料成分与工艺对焊接质量影 响较大。

  而跟着光伏、风电蓬勃展开，新动力轿车浸透率进步，功率模块带动 AlN 陶瓷 基板需求添加。IGBT 功率器材是光伏、风力发电时电能转化与电路操控的中心，同 时也在新动力轿车的电动机等中心部件中起着要害效果，跟着光伏、风电占比的不断 进步，功率器材以及封装所用陶瓷基板的需求将迎来大规划添加。在传统的 IGBT 模 块中，氧化铝陶瓷基板是最常用的陶瓷基板，但氧化铝陶瓷基片相对低的热导率、与 硅的热胀大系数匹配欠好，跟着新动力轿车向着高压化、高功率化展开，氧化铝已不 再适宜作为封装资料。近年来，AlN、Si3N4 陶瓷基板以其耐高温和热安稳性好、介电 常数和介质损耗低、耐磨损、耐腐蚀等优异的功用，在 IGBT 模块封装中得到喜爱， 逐渐代替 Al2O3 陶瓷基板。此外，新动力轿车用 IGBT 模块的功率导电端子需求承载数 百安培的大电流，对电导率和热导率有较高的要求，车载环境中还要接受必定的振荡 和冲击力，机械强度要求高，因而 Si3N4 凭仗其硬度高、机械功用好的特性在新动力 车用 IGBT 模块中得到了更广泛的运用。跟着光风储能与新动力轿车职业的快速展开 带动功率模块需求激增，氮化铝与氮化硅陶瓷基板的商场也随之扩展。

  DPC 工艺常用于大功率 LED 封装。因为陶瓷基板具有高绝缘、高导热和耐热、 低胀大等特性，特别是选用笔直通孔技能的 DPC 陶瓷基板，可有用满意倒装共晶、 COB (板上芯片封装)、CSP (芯片尺度封装) 等技能白光 LED 封装需求。 DPC 陶瓷基板制备前端选用了半导体微加工技能 (溅射镀膜、光刻、显影等)， 后端则选用了印刷线路板 (PCB) 制备技能 (图形电镀、填孔、外表研磨、刻蚀、外表 处理等)，技能优势显着。详细特色包含：(1) 选用半导体微加工技能，陶瓷基板上金 属线路愈加精细 (线 μm，与线路层厚度相关)，因而 DPC 基板十分适宜对准精度要求较高的微电子器材封装；(2) 选用激光打孔与电镀填孔技 术，完结了陶瓷基板上/下外表笔直互联，可完结电子器材三维封装与集成，下降器 件体积；(3) 选用电镀成长操控线 μm)，并经过研磨 下降线路层外表粗糙度，满意高温、大电流器材封装需求；(4) 低温制备工艺 (300°C 以下) 避免了高温对基片资料和金属线路层的晦气影响，一起也下降了出产本钱。 综 上所述，DPC 基板具有图形精度高，可笔直互连等特性。

  DPC 陶瓷基板制备工艺：首要运用激光在陶瓷基片上制备通孔 (孔径一般为 60 μm ~ 120 μm)，随后运用超声波清洗陶瓷基片；选用磁控溅射技能在陶瓷基片外表 堆积金属种子层 (Ti/Cu)，接着经过光刻、显影完结线路层制作；选用电镀填孔和增 厚金属线路层，并经过外表处理进步基板可焊性与抗氧化性，终究去干膜、刻蚀种子 层完结基板制备。

  DPC 基板也存在一些缺乏：(1) 金属线路层选用电镀工艺制备，环境污染严峻； (2) 电镀成长速度低，线路层厚度有限 (一般操控在 10 μm ~ 100 μm)，难以满意大 电流功率器材封装需求。现在 DPC 陶瓷基板首要运用于大功率 LED 封装，出产厂 家首要会集在我国台湾区域，但从 2015 年开端我国大陆区域已开端完结量产。

  LED 芯片关于散热要求极为严苛，车载照明将进一步进步 AlN 基板的需求。现在 单芯片 1W 大功率 LED 已工业化，3W、5W，乃至 10W 的单芯片大功率 LED 也已推出， 并部分走向商场。这使得超高亮度 LED 的运用面不断扩展，从特种照明的商场范畴逐 步走向一般照明商场。因为 LED 芯片输入功率的不断进步，对这些功率型 LED 的封装 技能提出了更高的要求。而传统的基板无法承载高功率的热能，氮化铝陶瓷具有杰出 的导热和绝缘功用，能够进步 LED 功率水平缓发光功率。功率 LED 现已在户外大型看 板、小型显现器背光源、车载照明、室内及特别照明等方面获得了许多运用。

  HTCC（氮化铝高温共烧陶瓷多层基板）具有热导率高、布线密度高、热胀大系 数低、力学强度高、封装气密性好等长处，成为高功率微波组件首选的基板资料和 封装资料。AlN HTCC 多层基板资料热导率高达（170~190）W/（m·K），热胀大系数 仅为 4.2×10-6/°C，与硅（Si）、砷化镓（GaAs）及氮化镓（GaN）等半导体资料器 件挨近；力学强度高、细密性好，能够满意封装气密性要求，是高功率 MCM 首选的基 板资料和封装资料。 HTCC（High Temperature Co-fired Ceramic，高温共烧多层陶瓷）是指在 1,450℃以上与熔点较高的金属一起烧结的具有电气互连特性的陶瓷。HTCC 一般在 900℃以下先进行排胶处理，然后再在更高的 1,500-1,800℃高温环境中将多层叠压 的瓷片共烧成一体。HTCC 电路工艺选用丝网印刷制作，所选的导体资料一般为熔点 较高的钨、钼、锰等金属或贵金属。 HTCC 基板制备进程中先将陶瓷粉(AlN 或 Al2O3)参加有机黏结剂，混合均匀成为 膏状陶瓷浆料后，用刮刀将陶瓷浆料刮成片状，再经过枯燥工艺使片状浆料构成生胚， 然后依据线路层规划钻导通孔，选用丝网印刷金属浆料进行布线填孔，终究将生胚层 叠加，置于高温炉中烧结。

  相较 LTCC，HTCC 更适用于大功率和高温场景。LTCC 与 HTCC 的全体工艺流程类 似，所需设备也相差无几。但因为资料的差异较大，导致 LTCC 与 HTCC 在出产进程中 的共烧温度差异较大。HTCC 一般的烧结温度在 1650℃以上，而 LTCC 一般的烧结温度 在 950℃以下。因为 HTCC 工艺温度高，导电金属挑选受限，只能选用熔点高但导电 性较差的金属，制作本钱较高。受限于丝网印刷工艺，线路精度较差，难以满意高精 度封装需求。但 HTCC 基板具有较高机械强度和热导率，物化功用安稳，在大功率及 高温环境下器材封装中具有广泛的运用远景。

  依据恒州诚思 YH Research 的数据，2021 年全球 HTCC 陶瓷封装商场出售额到达 180 亿元人民币，估量 2028 年将到达 293 亿元人民币，年复合添加率为 6.75% （2022-2028）。 全球 HTCC 陶瓷封装的中心厂商包含京瓷、河北中瓷和 13 所、NGK/NTK 等等。前 三大厂商占有了约 80%的比例。日本是最大的出产区域，占有约 70%的比例，其次是 我国和北美，别离占 24%和 3%。亚太区域是最大的商场，占有约 89%的比例，其次是 北美和欧洲，别离占有约 7%和 2%的商场比例。就产品类型而言，HTCC 封装管壳是最 大的细分，占有大约 77%的比例，一起就运用来说，通讯范畴是最大的下流范畴，约 占 33%。

  国防军事展开带动 TR 组件商场扩展。电子射频收发组件（T/R 组件）是相控阵 雷达的重要组成部分，其功用、尺度都会对雷达系统的全体方针发生重要影响。2022 年，我国国防预算约为 1.45 万亿元，同比添加 6.62%，获益于军费预算合理添加、 装备开销继续走高和国防信息化建造的有序推动，军工电子职业的需求将稳步添加， 带动 TR 组件商场扩展。依据 openPR 新闻显现，全球雷达系统发射和接纳(TR)组件市 场估量将从 2022 年的 58.3 亿美元添加到 2028 年的 132.9 亿美元，年复合添加率为 14.7%。

  军事电子等展开对电子器材的小型化、高集成提出了更高的要求。跟着国防军 事的展开，雷达系统中 T/R 通道和所需模块增多，对整个雷达系统提出了小型化提 出了更高要求，相控阵雷达 T/R 组件的产品结构办法也阅历了从大变小、由“砖块” 到“瓦片”的进程。相控阵组件常用结构包含砖块式和瓦片式，传统的砖块式是将各 个器材放置在与天线口径笔直的平面上，跟着通道增多体积会大大添加，晦气于大型 阵列运用。瓦片式则是将系统依照功用分层，经过笔直结构使每层与其他层和其他表 面器材相连，这种结构削减了印制电路板和衔接器的数量，然后下降了相控阵雷达的 体积、分量以及本钱。跟着摩尔定律挨近极限，经过进步制程工艺添加晶体管数质变 得益发困难，因而需求探究新的办法来研讨产品的小型化，先进封装技能便是完结电 子产品小型化的一种重要途径。

  除了作为陶瓷基板的抱负资料外，氮化铝在结构件的运用具有较大潜力。氮化 铝结构件是一种高强度、高刚度、高温耐受性好的特种结构件，其制作工艺首要包含 以下几个方面：(1)氮化铝陶瓷资料的制备：氮化铝陶瓷资料能够经过烧结、热压或 热等静压等办法制备得到，其间热等静压技能更为先进和适用于大规划出产。(2)结 构件的加工：氮化铝资料在烧结后具有较高的硬度和强度，因而加工难度较大，一般 选用精细研削或许高精度数控加工中心等设备进行，以保证加工精度和质量。(3)结 构件的外表处理：为了进一步进步氮化铝结构件的功用，需求进行外表处理，如喷涂、化学镀膜、阳极氧化等，以进步其耐磨性、耐腐蚀性、导热性等。(4)结构件的设备： 氮化铝结构件一般要与其他部件进行设备，因而需求进行精细匹配和组装，以进步整 个系统的运转功率和牢靠性。 依据流程工业网的信息，氮化铝可运用于结构陶瓷的烧结，制备出来的氮化铝陶 瓷，不只机械功用好，抗折强度高于 Al2O3 和 BeO 陶瓷，硬度高，还耐高温耐腐蚀。 运用 AlN 陶瓷耐热耐腐蚀性，可用于制作坩埚、Al 蒸发皿等高温耐蚀部件。此外， 纯洁的 AlN 陶瓷为无色通明晶体，具有优异的光学功用，能够用作通明陶瓷制作电 子光学器材装备的高温红外窗口和整流罩的耐热涂层。

  静电吸盘为 AlN 结构件的中心运用之一。经过干压，冷等静压等工艺后烧结而 成的氮化铝陶瓷结构件，具有高热导，介电损耗小，机械功用好，硬度高，耐性好， 耐高温耐腐蚀等优异功用，可制作半导体静电吸盘，高温耐蚀部件等，广泛运用在半 导体、医疗等范畴。依据在《J-R 型氮化铝陶瓷静电吸盘的规划与制作》研讨中的信 息，静电吸盘是现代半导体工业中运用最广的硅片夹持东西，静电吸盘相关于以往的 硅片加持办法有着吸附效果均匀散布于硅片外表，硅片不会发生翘曲变形；吸附效果 力继续安稳，能够保证硅片的加工精度；静电吸盘对硅片污染小，对硅片无伤；能够 运用于高真空环境中等显着优势。

  以 J-R 型静电吸盘为例，静电吸盘功用性结构分为三部分： （1）基座部分：作为静电吸盘的主体结构，基座部分首要承当着散热与固定的 效果。基座层一般为陶瓷资料制成，也有少数运用金属资料，需保证其杰出的导热性 与硬度。一般坐落静电吸盘最下部作为静电吸盘与设备的衔接部分，并能够将硅片加 工发生的热量经过基座层导出。一起内含电极柱保证电极层与外部电压的导通。 （2）电极层部分：电极层一般坐落基底与 J-R 层中心，厚度一般为数微米到数 十微米，资料一般为金属。经过电极柱与外部电压导通获得高压效果于 J-R 层。 （3）J-R 层部分：J-R 层部分尽管厚度一般只要数十微米，但却是静电吸盘中 最重要的部分。J-R 层是 J-R 效应的效果层，其内含能够自在移动的导电粒子，具 有有限电阻，一般选用陶瓷资猜中少数掺杂调理电阻率至所需规划。J-R 层上一般还 有凸点及沟道等辅佐结构，具有散热与排气等效果。

  静电吸盘技能首要是以 Al2O3 陶瓷或 AlN 陶瓷作为主体采资料，陶瓷资料具有 杰出的导热性，耐磨性及高硬度且比照金属资料在电绝缘性方面有着先天的优势。 Al2O3资料热导率及相关机械功用均不及 AlN 陶瓷。在半导体加工中，对硅片的 散热作业适当重要，假如无法保证硅片外表的均温，则在对硅片的加工进程中将无法 保证加工的均匀性，加工精度将遭到极大的影响。因而氮化铝陶瓷代替氧化铝陶瓷作 为静电吸盘的制作资料成为趋势。

  按 AlN 的首要制备与运用区分工业链，咱们以为首要能够分为上游粉体制备， 中游基板制备，下流商场运用（金属化）。

  高功用的氮化铝要害在于粉体制备。高质量粉末质料是获得高功用氮化铝制品 的先决条件，要制备高功用的氮化铝制品，首要需求制备出高纯度、细粒度、分散性 好和烧结性优的氮化铝粉末。怎么进步氮化铝转化率，下降粉末杂质含量以及反响能 耗，缩短工艺流程，节省本钱是制粉进程中最关怀的问题。因而，为了制备高相对密 度、高导热和高强度的氮化铝陶瓷，怎么制备优质的氮化铝粉末得到了国内外研讨者 们的亲近重视。 高质量粉体对下流出产影响大，咱们以为上下流一体粉体兼有的企业优势更大。 依据《高功用 AlN 粉体组成、特性及成瓷验证》中说到，高质量 AlN 粉体是制备高 功用 AlN 陶瓷基板的重要的条件与保证。不同质量的 AlN 粉体制备的 AlN 陶瓷基 板的密度数值安稳，均坚持在 3.29-3.30 g/cm3，但其热导率和抗弯强度的数值改变 起伏较大。

  跟着 AlN 粉体中的 O 含量由 0.85 wt%增大至 1.46 wt%，AlN 陶瓷基板的热导 率单调下降，抗弯强度单调上升。AlN 粉体中的 O 含量首要以粉体外表 Al2O3 的形 式存在，Al2O3 与烧结助剂 Y2O3 反响，生成液相，潮湿 AlN晶粒，促进烧结细密化， 一起，中心相 YAG、YAP 与 YAM 与 AlN 间构成强的界面结合，进步 AlN 陶瓷基板 的抗弯强度；可是，跟着 AlN 粉体中的 O 杂质含量逐渐增多，生成的钇铝酸盐第二 相含量也逐渐增多，构成更多的低导热 YAG、YAP 与 YAM(如，YAG 热导率仅为 13.0 W/(m·K))，沿 AlN 晶界散布，增大了晶界热阻，下降 AlN陶瓷基板的热导率。 粉体的含氧量直接影响热导率这一要害功用。因而咱们以为一起具有上游粉体 出产和陶瓷基板的企业能及时调理优化上游粉体出产，对出产高质量陶瓷基板至关 重要。咱们以为具有粉体与基板出产才能的企业将更具有竞赛力，国内布局全工业 链企业如旭瓷（旭光电子）、国瓷、艾森达（宏达电子）等。

  现在氮化铝粉体干流的工业制备办法为直接氮化法和碳热复原法。 直接氮化法：直接将铝粉放置于高温氮气中，依托化合反响铝粉直接与氮气化 合生成氮化铝粉末。反响温度一般在 800-1200℃规划内。该办法反响简略，能耗低， 但直接氮化法的温度往往高于铝的熔点（660℃），单质铝处于熔融状况，易构成熔体， 反响生成的氮化铝膜会约束熔体的触摸，因而该办法下制备的氮化铝粉体存在描摹不 规矩、粉末聚会、粒度散布宽、需求二次研磨等缺点。 碳热复原法：选取超细氧化铝粉体和高纯度炭黑（或活性炭）作为开端质料， 先在球磨罐中球磨混合，然后放于石墨坩埚内，在活动高纯氮气下复原氮化。组成温 度规划为：1450-1750℃，保温时刻 2-10h，终究在 N2 烧结炉中随炉冷却，得到黑色 粉末状氮化物。相较直接氮化法，碳热复原法制备的氮化铝粉体近球形、纯度高、烧 结活性好、粉体粒度细微、粒径散布窄且质料来历更广。

  氮化铝制备工艺杂乱，高本钱约束大规划运用。首要，制备氮化铝粉末一般都 需求较高的温度，出产制备进程中的能耗较高，一起存在安全危险，导致部分高温制 备办法无法完结工业化出产。其次，氮化铝制备对出产制备进程中的杂质掺入或许有 害产品的生成要求严厉，氮化铝粉体中杂质的存在将对陶瓷的热导率发生负面影响。 氮化铝的导热机制是声子传导，质量的缺点、气孔和杂质都会对声子发生散射，然后 下降氮化铝陶瓷的热导率。特别是 O 原子固溶入氮化铝晶格，占有 N 原子的方位，产 生 Al 空位，构成激烈的声子-缺点散射，使氮化铝陶瓷的热导率急剧下降。当氮化铝 陶瓷中氧含量为 0.12wt%时，其热导率降至 185W/(m·K);当氧含量上升到 0.31wt%时， 其热导率下降到 130W/(m·K)。杂质的存在还将对陶瓷的绝缘功用发生严峻影响，当 氮化铝粉体中的 Si、Fe、Mg 等元素含量超越 2x10-4 时，陶瓷的绝缘功用就出现显着下降。因而，因为氮化铝粉体制备工艺杂乱、能耗高、周期长、价格昂贵，氮化铝难 以大规划商业化运用，仍需等候技能进步以处理本钱难题。

  我国氮化铝工业起步晚，粉体制备技能与国外存在较大距离。因为氮化铝资料 制作工艺比较杂乱、能耗高、周期长、价格昂贵、出产本钱较高，现在大部分国产氮 化铝资料尚达不到高导热、高强度的运用要求。国内氮化铝在高质量粉体制备技能方 面落后于国外，质量和安稳性均存在较大距离。国内外氮化铝技能功用首要距离表现 在粉体制备（高质量，高安稳性）、烧结（质量和良率）以及覆铜等后道工艺等中心 技能。跟着国内研讨不断深入，氮化铝制备技艺不断进步，国内外距离正在逐渐缩小。

  国内氮化铝产量不能满意商场需求，粉料许多依靠进口。依据我国粉体网的信 息，2013-2017 年，跟着我国消费电子、通讯、轿车、医疗、动力等多范畴的展开， 我国氮化铝进口数量和进口金额均出现不断添加的态势。其间，2013 年我国氮化铝 进口数量约 30 吨，进口金额约 3000 万元；2017 年，氮化铝进口数量超越 50 吨，进 口金额约 4500 万元。国内进口的高功用氮化铝粉体首要来自日本，占有我国商场超 60%比例。比较于国产氮化铝粉体，进口粉体商品化程度较高，产品安稳性、精细化 程度较好，但价格也相对较高，约为国产一般氮化铝粉体价格的 3 倍左右，且存在原 资料断供的危险。估量未来一段时刻内，我国高功用氮化铝粉体仍将以进口为主。

  方针大力支持，粉体工业向高质量推动。作为我国七大战略性新兴工业和“中 国制作 2025”要点展开的十大范畴之一，新资料工业被以为是 21 世纪最具展开潜力 并对未来展开有着巨大影响的高技能工业。其间先进功用陶瓷资料指出要要点展开超 薄液晶玻璃基板用陶瓷资料、高纯超细氧化铝粉体及通明陶瓷、碳化硅防弹陶瓷、碳 化硅蜂窝陶瓷、高纯氮化硅料体、高纯氮化铝粉体、特种陶瓷及复合资料、太阳能瓷 砖等功用型或复合型陶瓷产品，以国际先进水平为标杆，打破资料规划、批量制备、 制备技能集成等方面的要害技能。 商场需求宽广，工业展开推动力巨大。依据我国粉体网的《我国氮化铝粉体与 制品工业展开研讨陈述》，我国具有巨大的工业用户，具有国际上最大的手机出产量、 最大的轿车保有量、最大的 5G 基站建造量、最大的 LED 照明需求量，强壮的下流应 用工业为我国氮化铝粉体工业供给了强壮的推动力，未来商场空间宽广。

  日德领跑全球氮化铝职业，我国企业迎头赶上。因为氮化铝资料制备技能难度 较高、本钱投入较大、出产周期较长，国外氮化铝工业起步早展开快，现已堆集了丰 富的技能经历，现在占有全球氮化铝职业主导位置，职业龙头包含日本丸和、日本东 芝、日本京瓷、德国 CeramTec、德国罗杰斯、美国 CoorsTek 等。我国氮化铝工业虽 然起步较晚，但现在现已进入批量出产的初步阶段，制备技能和工艺不断进步，与国 外巨子的距离正逐渐缩小。现在国内具有氮化铝粉体出产才能的企业首要为厦门钜瓷 科技有限公司、潮州三环集团、国瓷资料等，但粉体仍然极度依靠进口，价格昂扬。

  氮化铝陶瓷常用的成型办法包含模压成型、流延成型、粉末打针成型等。依据 不必的制备要求和工艺流程难易程度，需求挑选适宜的成型办法。现在氮化铝陶瓷基 板制作进程中一般选用流延成型。依据《高导热氮化铝陶瓷成型技能的研讨展开》的 研讨，各项成型工艺有其各自优缺点： ①传统的模压成型利于制备高功用 AlN 陶瓷，可是其本钱较高，功率低且很难 制备出杂乱形状的 AlN 陶瓷；②流延成型工艺现已成功运用到工业出产中，但流延 成型仅适用于出产薄片形状的 AlN 陶瓷部件，关于杂乱形状零件并不适用；③打针 成型能够制备杂乱形状零件，可是仅适用于制备小型陶瓷部件，并且打针成型设备成 本较高，所制坯体有机物含量高，排胶工艺杂乱导致其出产功率过低；④注凝成型既 能够制备杂乱形状陶瓷部件也能够制备片状部件，可是，因为水基注凝成型需对 AlN 粉末做抗水解处理，对终究制得 AlN 陶瓷产品功用的影响需求进一步研讨；而非水 基注凝成型系统则需求进一步寻觅和制备高质量注凝系统以便于获得高固含量、低粘 度的浆料以及无缺点的坯体；⑤ 3D 打印成型是一种快速成型，适用于制备杂乱程度 更高的杂乱形状部件，关于部件的形状能够灵敏规划，在烧结后也能够得到高细密度 陶瓷以及杰出的热学功用。

  烧结是指陶瓷坯体高温下的细密化进程，要害在于烧结助剂挑选与温度操控。 现在氮化铝陶瓷干流烧结办法包含无压烧结、热压烧结、放电等离子烧结、微波烧结 等。此外，烧结进程中需添加烧结助剂，包含某些稀土金属、碱土金属、金属化合物 等，如 Y2O3、CaO、CaF2、Li2O 等，能够有用进步资料的细密度和热导率。

  为满意电子封装结构的密封和元器材的搭载，以及输入、输出端子的衔接等要 求，氮化铝陶瓷基板外表需求金属化。现在常用的氮化铝陶瓷基板金属化的办法主 要有：①厚膜金属化法，即在陶瓷基板上经过丝网印刷布线成导体或电阻，烧结构成 电路，首要过程包含：图画规划、浆料的制备、丝网印刷、枯燥与烧结。②薄膜金属 化法，一般采纳离子镀、真空蒸镀、溅射镀膜等 PVD 办法在 AIN 陶瓷基板表层上沉 积电导率高、不易氧化的金属 Ti，然后在 Ti 层上堆积 Ag、Pt、Ni、Au 等金属后， 进行热处理，制备金属薄膜。③化学镀金属化法，运用复原剂将溶液中的金属离子还 原在催化活性的物体外表而构成金属镀层，镀层与基体结合机理首要是机械啮合，在 必定规划内，镀层的粘附强度跟着基板外表的粗糙度增大而进步。④直接敷 Cu 法 （DBC 法），指将 Cu 箔在高温下直接敷接到陶瓷基板外表上的特别工艺办法。⑤ AMB 法，AlN与 Cu 选用 Ag-Cu-Ti 焊剂进行钎焊衔接。

  国内陶瓷基板展开较晚，但展开显着。依据《高导热 AlN 陶瓷基板的制备技能 研讨》的研讨中说到，国内，从八十时代末展开 AlN 资料的研讨，起步相对较晚。近 几年国内的研讨获得显着的展开，其间许多技能现已在实践出产中得到运用，可是与 发达国家还有必定的距离。国内能够批量化出产和出售的 AlN 陶瓷的热导率首要会集 在 170 W/(m·K)邻近。

  依据旭光电子公告相关数据计算，咱们以为一吨氮化铝粉体的商场价值约在 30 万元人民币以上，可对应出产出的 AlN 陶瓷基板商场价值大约在 300 万元人民币以上， 依据《氮化铝粉体与制品工业展开研讨陈述》数据估量，2023 年我国对应 AlN 粉体 商场需求约为 4300 吨，并将坚持 15%左右的年增速，咱们估量 2023 年国内 AlN 粉体 的商场规划在 12 亿元人民币以上，慎重估量所对应 AlN 陶瓷基板商场产量约在 80 亿 元人民币以上。依据旭光电子公告数据，国内电子陶瓷商场规划在 1,145.40 亿元人 民币左右，咱们以为跟着半导体和新动力职业的展开，AlN 陶瓷基板占电子陶瓷商场 比率会不断进步，增速也会高于国内电子陶瓷商场前史年复合增速 13.7%。 依据以上述数据计算，咱们猜测，到 2025 年，国内 AlN 粉体的商场规划将超越 15 亿元人民币，AlN 陶瓷基板商场规划将超越百亿元人民币，而现在国内企业产量 占比仍较低，未来国产代替空间大。

  依据艾邦陶瓷展数据，现在我国大陆区域有 26 家 AlN 陶瓷基板出产企业。其间 首要包含成都旭瓷、山东国瓷、中瓷电子、三环集团、宁夏艾森达、扬州中天利、 福建臻璟等。 现在布局上下流粉板一体化企业相对较少。从艾邦智造所计算的数据来看，AlN 粉体出产国内企业有 19 家，但一起布局上下流具有粉体基板出产才能的企业较少， 国内首要有宁夏艾森达、福建臻景、山东国瓷、成都旭瓷、扬州中天利 5 家企业。

  旭光电子是一家专业从事金属陶瓷电真空器材、高低压配电成套设备、光电器材 等产品研制、出产、出售的要点高新技能企业。2022 年上半年，公司完结运营收入 52,923.46 万元，同比添加 30.59%；完结归属于上市公司股东的净利润 3,064.55 万 元，同比添加 24.99%；完结归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为 2,940.61 万元，同比添加 32.25%。

  成都旭光电子股份有限公司，前身公营旭光电子管厂，1965 年创建于四川广元。 公司具有法瑞克、易格机械、西安睿控、旭瓷四家子公司。公司 1990 年迁址新都， 1994 年股份制改造，2002 年在上交所上市。历经 50 余年，公司以真空开关设备、电 真空器材、电子陶瓷资料、智能操控快速开关、专业设备制作等多元化的研制、出产 制作、出售为主业，触及电子管、真空灭弧室、固封极柱、高低压成套配电设备、直 流输配电以及电子陶瓷、电子工业专业设备和动力动力制作、金属零件精细铸造、嵌 入式计算机等范畴。是国内仅有一家具有从金属零件加工、精细陶瓷制作到智能电气 装备的全工业链技能立异式高新技能企业。

  公司主运营务包含电真空事务、军工军品事务和电子陶瓷事务。 公司是专业从事陶瓷电真空器材的企业，用于电真空器材的陶瓷的规划、研制、 出产的配套工业是公司最重要的部分，其间陶瓷金属化是公司最中心的技能之一。 金属化陶瓷重要的技能要求是气密性、抗拉抗折强度、耐高压功用。公司现在具有国 内最大规划的年产 200 余万只金属化陶瓷的出产才能。几十年来，公司已堆集了丰厚 的陶瓷金属化的工艺技能和出产办理经历，培育和储藏了一大批技能工员和技能工人； 公司也已把握电子陶瓷中心设备的克己才能。公司控股子公司旭瓷公司专业从事氮化 铝资料的研制、出产、出售及技能服务，首要产品包含氮化铝粉体、基板、结构件等 电子陶瓷资料。旭瓷新资料氮化铝工业已从粉体、流延基板，结构件、半导体设备器 件、高温共烧多层线路板等全线打通，并构成规划出售。已方案建造产能 500 吨高纯 度高功用粉体出产线 亿元大力展开电子陶瓷事务。2022 年 1 月，公司发布 2022 年 度非公开发行 A 股股票预案。本次非公开发行股票拟征集资金总额不超越 5.5 亿元，将用于电子陶瓷资料工业化项目和弥补活动资金。募投项目投产后将促进公司电子陶 瓷类产品的产品结构调整和工业战略晋级。项目扩产建成后，公司将到达 500 吨氮化 铝粉体的出产才能，构成氮化铝基板、氮化硅基板、HTCC 及结构件等工业链系统， 以满意商场快速添加的需求。截止现在，旭瓷公司的产品已获得部分客户的验证，并 运用现有产能开端批量供货，一起，电子封装陶瓷资料扩产项目和电子陶瓷资料工业 化项目建造项目正在加快建造进程中，电子封装陶瓷资料扩产项目现已完 10000m2 厂 房建造，氮化铝电子陶瓷资料工业化项目已完结 18000m2 厂房建造，氮化铝基板、 HTCC 出产线第一期设备已进入设备调试阶段。第一期设备设备调试完结后，可完结 60 万片/年（120*120*0.5mm）氮化铝基板、2 万片/年（4.5*4.5 英寸）HTCC 出产能 力。

  电真空事务中，公司首要聚集电真空器材的运营和拓宽，并专心于相关范畴产品 的研制、规划、出产和出售，是国家要点高新技能企业。首要产品真空开关管、固封 极柱和高低压配电成套设备及电器元件，首要用于电力职业，其商场需求的动力来历于输配电网的建造和晋级改造及各职业的新建项目及改造。2022 年上半年，公司开 关管出售数量 38.71 万余只，同比添加 2.1%，上半年完结出售收入 23,116.81 万元， 同比添加 9.59%，在窘境中稳步添加；发射管完结恢复性添加，上半年完结出售收入 2,673.62 万元，同比添加 27.96%。 公司军工事务首要由控股子公司易格机械和西安睿控承当。其间易格机械首要从 事出产制作（包含精细铸造和精细制作）事务，出产制作高精度、形状杂乱的精细结 构件，产品广泛用于航空、航天、武器等范畴；西安睿控致力于国产化自主可控嵌入 式计算机系统的研制、出产和出售，首要服务于军工和轨道交通范畴。首要客户包含 我国各大军工集团部属的企业和科研院所。十四五规划明确提出“促进国防实力和经 济实力同步进步”。在应对百年未有之大变局的国际形势中，未来中长期内我国军事 装备或将进入加快追逐期。2022 年上半年，公司军品出售收入 1.22 亿元，占主运营 务收入 28.68%。其间易格机械公司完结运营总收入 8,332.54 万元，较上年同期添加 52.6%，完结净利润为 1,912.23 万元，较上年同期添加 59.47%。西安睿控完结主营 事务收入 3,942.89 万元，完结净利润为 438.89 万元，公司业绩 2022 年年头受西安 疫情影响，公司从 2021 年年末放假至 2022 年二月中旬，严峻影响了出产进展和出货。

  公司首要从事各类高端陶瓷资料的研制、出产和出售，已构成包含电子资料、催 化资料、生物医疗资料、新动力资料、精细陶瓷和其他资料在内的六大事务板块，产 品运用包含电子信息和通讯、生物医疗、新动力、修建陶瓷、尾气催化、太阳能光伏 等范畴。2022 年上半年，国瓷资料完结运营收入 173,073.24 万元，比上年同期添加 17.47%；归属于上市公司股东的净利润 40,286.17 万元，比上年同期添加 2.14%；归 属上市公司股东的扣除非经常性损益后的净利润 36,371.42 万元，比上年同期添加 2.06%。

  精细陶瓷板块中，公司现已具有从氮化硅粉体制备到陶瓷球制作的一体化出产 才能。公司事务稳步推动，产品现现已过了下流多家头部轴承厂商的验证，部分已 开端小批量供货；公司陶瓷球在新动力范畴的运用也越来越广泛，部分产品在加快验 证进程中，为应对下流运用范畴的不断拓宽，公司正在活跃扩大产能。别的，公司在 氮化铝粉体商场相继获得打破，氮化铝陶瓷基板产线也现已建造完结并批量供货，有望完结出售的快速添加。伴跟着全球光纤通讯网络的建造继续推动，公司子公司深圳 爱尔立异资料出产的陶瓷套筒、陶瓷插芯等结构件的产销量较上年同期安稳添加。 2022 年上半年，公司精细陶瓷板块完结运营收入 9,678.07 万元，同比添加 28.74%。 电子资料板块中，公司作为国内 MLCC 介质资料的龙头出产商，凭仗多年的技能 堆集和沉积，敏捷完结了车规级产品的技能研制和工业化，完结了从消费电子、通讯 到车规一切类型的根底粉和配方粉的全掩盖。一起，公司运用征集资金敏捷推动车规 级产品的产能布局，未来跟着车规级产品出售占比的不断添加，相关事务有望继续保 持安稳添加趋势。公司运用水热、纳米和调色等中心技能全面配兼并继续满意各大客 户的需求，智能手表陶瓷外壳需求继续添加，智能手机陶瓷后盖产品也在不断验证中。 公司凭借多年来在 MLCC 职业发明的品牌影响力堆集的优质客户资源，加快电子浆料 在各大 MLCC 客户端的验证进程。别的，公司光伏浆料事务也在紧跟职业展开脚步， 双面 PERC 铝浆连续获得职业界各厂家的认可。

  催化资料板块中，公司要点拓宽尾气处理的前装商场和，继续推动与下流主机厂 和整车厂的协作作业，与 OEM 客户协作获得了越来越多的公告，商用车、乘用车、非 路途机械和船机等运用范畴完结了快速打破。公司出产的铈锆固溶体和改性氧化铝等 产品，作为三元净化器涂覆的重要原资料，越来越遭到商场的重视和必定。公司产品 现现已过国际头部客户严厉的质量系统审阅，成功进入其供货商系统名录，供货量快 速添加。生物医疗资料板块中，公司具有纳米级复合氧化锆粉体、氧化锆瓷块、玻璃 陶瓷、树脂基陶瓷、数字化处理方案等系列牙科产品，具有从质料端继续优化产品的 竞赛优势。其他资料板块中，公司子公司国瓷康立泰现已位居国内墨水职业的抢先地 位，公司在国内各陶瓷主产区均设有专门的办事处、装备事务与技能人员，在海外地 区实施本土化办理，使得公司的商场规划和占有率不断扩展。

  新动力资料板块中，公司依据中心技能出产的氧化铝和勃姆石资料，具有高纯、 超细、单分散性好、磁性物质含量极低一级特色，能够广泛运用于锂电池电芯隔阂和极 片涂覆。公司作为职业的抢先企业，现在现已掩盖国内外大多数干流的锂电池出产厂 商和锂电池湿法隔阂厂商，堆集了丰厚的客户资源，也树立了杰出的品牌知名度。为 应对旺盛的商场需求，公司也加快了相关募投项目的投产进展，到 2022 年 6 月， 公司现已完结 1.25 万吨勃姆石产线建造并正式投产，估量年末能够完结 2.5 万吨年 产能项目的建造，三年内依据商场状况方案将勃姆石年产能逐渐扩产至 10 万吨；高 纯超细氧化铝现已完结 1 万吨产能的建造，三年内年产能逐渐扩大至 3 万吨。

  收买赛创电气，加大布局陶瓷基板事务。2022 年 10 月 26 日发布公告宣告以 3.98 亿元收买赛创电气。依据公告内容显现，赛创电气是一家专业从事功率半导体 覆铜陶瓷载板（薄膜金属化、DPC、DBC 和 AMB）的集研制、制作、出售于一体的先 进制作业公司，首要产品为在陶瓷基片上进行金属化制程的陶瓷基板。半导体陶瓷覆 铜板在储能、光通讯、电网、工业激光、IGBT、传感器、封装基板等方面均有广泛应 用。 赛创电气首要产品为 LED 陶瓷封装基板、车用传感器陶瓷基板、车载雷达陶瓷 基板、功率激光热沉、半导体制冷器陶瓷基板等。方针公司联合设备厂商开发了激光 加工、陶瓷外表处理、磁控溅射设备、笔直脉冲填孔电镀等设备，完结了 DPC 陶瓷基板产品的规划化与标准化出产。赛创电气未来还会研制氮化硅基陶瓷基板、多层陶 瓷基板，并开发 AMB 和 DBC 工艺，进一步拓宽新动力轿车、航空航天、半导体等新 兴工业范畴运用。 赛创电气致力于成为半导体陶瓷载板职业领军企业，打破日本京 瓷、日本丸和在高端陶瓷基板的独占位置，推动国内陶瓷基板工业链进口代替，以自 有中心技能处理“卡脖子”问题，完结工业链的国产自主可控。 收买完结后国瓷资料将构成从粉体到基板一体化全工业链布局。国瓷资料在陶 瓷粉体和陶瓷基片环节已具有全面克己才能，两边协作将有助于公司向下流陶瓷基板 延伸，完结从粉体、基片到基板的工业链布局，进步工业链各环节产品技能、质量和 技能迭代才能，工业链笔直一体化和国产化也将加快国瓷资料新产品的开发和工业 化。国瓷资料将凭借氮化铝、氮化硅、高端氧化铝粉体、基片的研制才能和方针公司 陶瓷基板出产才能，打造陶瓷基板工业渠道。

  三环集团首要从事电子元件及其根底资料的研制、出产和出售，首要包含通讯部 件、半导体部件、电子元件及资料、新资料等的出产和研制，公司产品首要运用于电 子、通讯、消费类电子产品、工业用电子设备和新动力等范畴。2022 年上半年，公 司完结运营收入 289,368.23 万元，比上年同期添加 0.62%；公司归母净利润 93,929.36 万元，同比削减 12.94%。

  公司成立于 1970 年，2014 年在深交所上市。公司具有 50 多年电子陶瓷出产经 验，主导产品从开始的单一电阻展开成为现在以通讯部件、电子元件及资料、半导体 部件、陶瓷燃料电池部件等产品为主的多元化产品结构，其间光纤衔接器陶瓷插芯、 氧化铝陶瓷基板、电阻器用陶瓷基体等产销量均居全球前列。

  （本文仅供参考，不代表咱们的任何出资主张。如需运用相关信息，请参阅陈述原文。）